適用范圍:

該試驗(yàn)檢查芯片長(zhǎng)期貯存條件下，高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HAST測(cè)試需求，僅針對(duì)非密封封裝(塑料封裝)，帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測(cè)試。

簡(jiǎn)介：

該試驗(yàn)通過(guò)溫度、濕度、大氣壓力加速條件，評(píng)估非密封封裝器件在上電狀態(tài)下，在高溫、高壓、潮濕環(huán)境中的可靠性。它采用了嚴(yán)格的溫度，濕度，大氣壓、電壓條件，該條件會(huì)加速水分滲透到材料內(nèi)部與金屬導(dǎo)體之間的電化學(xué)反應(yīng)。

引用文件：

下列文件中的條款通過(guò)本規(guī)范的引用而成為本規(guī)范的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本規(guī)范，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本規(guī)范達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本適用于本規(guī)范。

1. HAST測(cè)試流程

2. HAST測(cè)試條件
2.1 溫度、濕度、氣壓、測(cè)試時(shí)間 HAST試驗(yàn)條件如下表所示：

? 通常選擇HAST高壓加速老化試驗(yàn)箱RK-HAST-350，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測(cè)試時(shí)間。
? 測(cè)試過(guò)程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫，要保證結(jié)溫不能過(guò) 高，并在測(cè)試過(guò)程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》。
? 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿(mǎn)足下表三種關(guān)系時(shí)，特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過(guò) 10℃時(shí)，需考慮周期性的電壓拉偏策略。

? 注意測(cè)試起始時(shí)間是從環(huán)境條件達(dá)到規(guī)定條件后開(kāi)始計(jì)算；結(jié)束時(shí)間為開(kāi)始降溫降壓操作的時(shí)間點(diǎn)。
2.2 電壓拉偏
uHAST測(cè)試不帶電壓拉偏，不需要關(guān)注該節(jié)；
bHAST需要帶電壓拉偏，遵循以下原則：
(1) 所有電源上電，電壓：推薦操作范圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯片功耗小(數(shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法)；
(3) 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。
(4) 其他管腳，如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低；
2.3 樣本量

3. HAST設(shè)備
? 高溫、高壓、濕度控制試驗(yàn)箱（HAST高壓加速老化試驗(yàn)箱）——溫度、濕度、氣壓強(qiáng)度范圍可控，測(cè)試時(shí)間可控。
4. 失效判據(jù)
? ATE\功能篩片有功能失效、性能異常。
5. HAST測(cè)試注意事項(xiàng)
? 測(cè)試過(guò)程要求每天記錄電源電壓、電流、環(huán)境溫度、殼溫(推算結(jié)溫)等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
? 注意芯片內(nèi)部模擬電路是否有上電默認(rèn)開(kāi)啟的模塊，這樣的模塊會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)電流太大，引起其他機(jī)制的失效。
? 調(diào)試過(guò)程注意，考慮到較大的電流引起壓降，電壓等的記錄應(yīng)該是到板電壓，而不是電源源端電壓。
? 調(diào)試過(guò)程注意，室溫條件下的電源電壓與規(guī)定要求下的電源電壓不同，可以在室溫下初調(diào)，待試驗(yàn)環(huán)境到達(dá)HAST設(shè)定條件后做終調(diào)試。